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贸泽推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器

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贸泽推出TI LMG1210 MOSFETGaN FET驱动器
高频应用的好选择

 

2019926 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Texas Instruments (TI)  LMG1210 200 V半桥MOSFETGaN FET驱动器。LMG1210TI性能出众的氮化镓 (GaN) 电源产品系列,与传统硅替代方案相比,拥有更高的效率与功率密度,以及更小的整体系统尺寸,并专门针对速度关键型功率转换应用进行了优化。

 

TI LMG1210是一款50 MHz半桥驱动器,经过特别设计,能与电压高达200V的增强模式GaN FET搭配使用。LMG1210能实现超高性能与高效运行,并具有10 ns的超短传播延迟,优于传统硅半桥驱动器。此器件还具有1 pF的低开关节点电容和用户可调的死区时间控制,可让设计人员优化系统内的死区时间,进而改善效率。

 

LMG1210拥有3.4 ns高侧/低侧延迟匹配、4 ns最小脉宽和内部LDO,可确保在任何电源电压下都能维持5V的栅极驱动电压。本驱动器还具备超过300 V/ns的业内超高共模瞬态抗扰度 (CMTT),可实现较高的系统抗扰性。

 

TI LMG1210驱动器适用于高速DC/DC转换器、电机控制D类音频放大器、E无线充电RF包络跟踪以及其他功率转换应用。

 

更多信息,敬请访问www.mouser.cn/ti-lmg1210-mosfet-gan-fet-drivers

 

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