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床身铸件经过3年以上时效处理,进口超精密级(SP)直线导轨,研磨级(C2)滚珠丝杆,机床几何精度及动态精度保证在5μm以下。超稳定的奢侈机床床身结构设计,采用了费时、费料的装配过程,预留了更多的精度余量,保障了机床的精度稳定性在10年以上。电源搭载专业级智能专家库,自动生成加工代码,用户可以按具体要求自己修改优化加工参数,终身免费升级专家库,今天的放电条件可以在5年以后获得同样的加工精度。脉冲电源配置0.1安培微细加工回路与大面积低损耗回路,机床精度补偿能力提高5倍,全局加工条件具有直接修改菜单,用户可自定义自编程序快捷菜单,机床设定参数用户可自加密。数控系统预留第四轴电器接口,预留自动电极交换系统电器接口。新的软件操作界面使操作更方便、效率更高。
合肥航太全系列RTCA/DO-160E/F/G标准电磁环境效应测试能力
GaN Systems的新款GS-EVB-AUD-xx1-GS 音频评估板。此款高效评估板具有D类放大器和配套电源,针对音质、热性能、成本和尺寸进行了优化,为开发低成本、高性能的音频系统提供了出色的参考设计。
Analog Devices, Inc的AD4021和AD4022差分逐次逼近寄存器 (SAR) 模数转换器 (ADC) 。20位的AD4021/AD4022 ADC与AD4020 SAR ADC引脚兼容,可帮助工程师准确捕捉高频信号,并采用过采样技术来解决与抗混叠滤波器设计相关的挑战。
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贸泽推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器

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贸泽推出TI LMG1210 MOSFETGaN FET驱动器
高频应用的好选择

 

2019926 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Texas Instruments (TI)  LMG1210 200 V半桥MOSFETGaN FET驱动器。LMG1210TI性能出众的氮化镓 (GaN) 电源产品系列,与传统硅替代方案相比,拥有更高的效率与功率密度,以及更小的整体系统尺寸,并专门针对速度关键型功率转换应用进行了优化。

 

TI LMG1210是一款50 MHz半桥驱动器,经过特别设计,能与电压高达200V的增强模式GaN FET搭配使用。LMG1210能实现超高性能与高效运行,并具有10 ns的超短传播延迟,优于传统硅半桥驱动器。此器件还具有1 pF的低开关节点电容和用户可调的死区时间控制,可让设计人员优化系统内的死区时间,进而改善效率。

 

LMG1210拥有3.4 ns高侧/低侧延迟匹配、4 ns最小脉宽和内部LDO,可确保在任何电源电压下都能维持5V的栅极驱动电压。本驱动器还具备超过300 V/ns的业内超高共模瞬态抗扰度 (CMTT),可实现较高的系统抗扰性。

 

TI LMG1210驱动器适用于高速DC/DC转换器、电机控制D类音频放大器、E无线充电RF包络跟踪以及其他功率转换应用。

 

更多信息,敬请访问www.mouser.cn/ti-lmg1210-mosfet-gan-fet-drivers

 

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